[发明专利]电磁屏蔽封装结构及其封装方法在审
申请号: | 201910681409.7 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN112309873A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 鲍漫;刘怡;龚臻 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 |
地址: | 214430 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种电磁屏蔽封装结构及封装方法,电磁屏蔽封装结构的封装方法包括:提供铜原材质的基础板材,经过两次光阻膜作业后形成过渡层,过渡层中包括连接功能引脚至外侧壁的导电连筋,之后贴装芯片进行一次包封,并在其后蚀刻掉连接功能引脚至外侧壁的导电连筋,再对蚀刻部位进行二次包封,在切割形成单体后,通过塑封料阻隔功能引脚与外侧壁连接,仅保留接地引脚与外侧壁通过导电连筋连接;如此,在溅镀金属保护层后,仅使得导电连筋与屏蔽罩导通,形成电磁屏蔽封装结构。本发明提升封装体的性能、节约制造成本及使用成本。 | ||
搜索关键词: | 电磁 屏蔽 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造