[发明专利]电磁屏蔽封装结构及其封装方法在审
申请号: | 201910681409.7 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN112309873A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 鲍漫;刘怡;龚臻 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 |
地址: | 214430 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁 屏蔽 封装 结构 及其 方法 | ||
本发明揭示了一种电磁屏蔽封装结构及封装方法,电磁屏蔽封装结构的封装方法包括:提供铜原材质的基础板材,经过两次光阻膜作业后形成过渡层,过渡层中包括连接功能引脚至外侧壁的导电连筋,之后贴装芯片进行一次包封,并在其后蚀刻掉连接功能引脚至外侧壁的导电连筋,再对蚀刻部位进行二次包封,在切割形成单体后,通过塑封料阻隔功能引脚与外侧壁连接,仅保留接地引脚与外侧壁通过导电连筋连接;如此,在溅镀金属保护层后,仅使得导电连筋与屏蔽罩导通,形成电磁屏蔽封装结构。本发明提升封装体的性能、节约制造成本及使用成本。
技术领域
本发明属于半导体制造领域,尤其涉及一种电磁屏蔽封装结构及封装方法。
背景技术
随着电子产品多功能化和小型化的潮流,高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展,尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展,使得集成电路封装也向微小化、高密度、高功率、高速度的方向发展。而随着电子部件变得更小、并且在工作频率更高,由于高频芯片在运输和传输是会产生很强的电磁波,往往会对封装内的其他芯片或者封装外的电子部件的造成不期望的干扰或噪声。加上电子部件的密度过高,电子部件之间的信号传输线路的距离越来越近,使得来自集成电路封装外部或内部的芯片之间的电磁干扰情形也日益严重。同时也会降低集成电路封的电性品质和散热效能。
为解决电磁干扰问题,现有技术往往会在封装体外表面粘贴金属盖或是镀上金属层来屏蔽电磁波的发射和接收。现有的带有屏蔽罩的封装体的成型工艺中,以基板封装实现其功能居多;主要是因为基板加工工艺是采用覆铜板作为载板,经过曝光,显影,电镀,蚀刻等制程可以把有功能性的线预留在切割线以内,接地线延伸至切割线以外,以实现电磁屏蔽效应。采用基板实现屏蔽效应的成本非常高,其成本比在铜原材质的基础板材上进行封装的成本约高10倍以上;另外,以基板为载板,其可靠性能低,导热差;其原因在于基板使用原材料里含有core材及油墨,其与铜原材质的基础板材上进行封装的封装体相比,可靠性较差,仅可通过MSL3,同时导热性能也比较差。
因此,需要提出一种以铜原材质的基础板材为载板,并在其上进行封装、屏蔽的技术及封装体,以提升封装体的性能及节约制造成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种解决上述技术问题的电磁屏蔽封装结构及封装方法。
为了实现上述发明目的之一,本发明一实施方式提供一种电磁屏蔽封装结构的封装方法,所述方法包括:S1、提供铜原材质的基础板材;
S2、在基础板材的电镀区域进行电镀,以在基础板材上形成电镀层;
S3、在形成有电镀层的基础板材上进行蚀刻使其整体形成过渡层,所述过渡层包括:引脚,一端连接引脚、另一端延伸至单体切割线的导电连筋,以及蚀刻后的电镀层,所述引脚包括:功能引脚和接地引脚;
S4、在过渡层背面粘贴耐高温保护膜;
S5、在过渡层正面贴装芯片,并使芯片电性连接功能引脚;
S6、在过渡层的正面进行第一次包封;
S7、剥离过渡层背面覆盖的耐高温保护膜;
S8、自过渡层背面蚀刻掉与功能引脚连接的导电连筋,以在对应蚀刻掉导电连筋的位置形成若干凹槽,使得排除电镀层的过渡层形成线路层;所述线路层包括:功能引脚、接地引脚,以及分别连接每一接地引脚的导电连筋;
S9、自线路层背面进行二次包封,所述包封区域至少包括步骤S8形成的凹槽;
S10、自单体切割线对步骤S9形成的半成型封装体进行切割,形成若干单体封装体;
S11、在单体封装体的塑封面上均匀溅射金属保护层形成屏蔽罩,并使得导电连筋与屏蔽罩导通,形成电磁屏蔽封装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造