[发明专利]锗硅外延层、其形成方法及一PMOS器件有效
| 申请号： | 201910676739.7 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110400844B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈勇跃;颜强;周海锋;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/167;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及锗硅外延层、其形成方法及一PMOS器件，涉及半导体集成电路制造技术，通过在Sigma结构中依次形成第一籽晶层、第二籽晶层、第三籽晶层、体锗硅层和盖帽层而形成锗硅外延层，其中，第一籽晶层中无掺杂；第二籽晶层中掺杂硼，增加厚度到150A‑200A；第三籽晶层中掺杂锗但不掺杂硼而作为后续形成的体锗硅层的隔离层和缓冲层；体锗硅层中掺杂锗但不掺杂硼，以使第二籽晶层形成电荷的传输层，使体锗硅层形成应力层，如此实现电荷传输层与应力功能层的空间隔离，使应力和电流场分离调控，进而提高器件的漏电和性能控制。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 形成 方法 pmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种锗硅外延层，其特征在于，包括：形成于Sigma结构中第一籽晶层、第二籽晶层、第三籽晶层、体锗硅层和盖帽层，其中第一籽晶层、第二籽晶层、第三籽晶层、体锗硅层和盖帽层在Sigma结构中从下至上分布，并第二籽晶层中掺杂硼，第二籽晶层厚度为![]()
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之间，第三籽晶层中掺杂锗但不掺杂硼，体锗硅层中掺杂锗但不掺杂硼。
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