[发明专利]具有混合电容器的半导体器件在审
| 申请号： | 201910675481.9 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN111146186A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 金成桓;金志永;金奉秀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括设置在基板上的多个下电极结构以及设置在所述多个下电极结构中的成对的下电极结构之间的支撑图案。半导体器件还包括：电容器电介质层，设置在所述多个下电极结构中的每个的表面和支撑图案的表面上；以及上电极，设置在电容器电介质层上。所述多个下电极结构包括第一下电极和第二下电极，该第二下电极设置在第一下电极上并具有圆筒形状。第一下电极具有柱形。第一下电极包括绝缘芯。绝缘芯设置在第一下电极中。第一下电极的外侧表面和第二下电极的外侧表面是共平面的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 混合 电容器 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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