[发明专利]具有混合电容器的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个下电极结构，设置在基板上；

电容器电介质层，设置在所述多个下电极结构中的每个的表面上；以及

上电极，设置在所述电容器电介质层上，

其中所述多个下电极结构包括第一下电极和设置在所述第一下电极上并具有圆筒形状的第二下电极，其中所述第一下电极具有柱形，

其中所述第一下电极包括绝缘芯，其中所述绝缘芯设置在所述第一下电极中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘芯包括非晶硅、非晶碳层(ACL)和/或硅氧化物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘芯由所述第一下电极和所述第二下电极密封。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘芯的下端位于比所述第一下电极的下表面高的水平处。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二下电极的表面的直径为50nm或更小。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二下电极还包括从所述第二下电极的内部下表面向上突出的突起，

其中所述突起设置在所述绝缘芯上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二下电极还包括从所述第二下电极的外部下表面向下突出的突起，

其中所述突起设置在所述绝缘芯上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘芯的上端包括向下突出的凹入形状。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘芯的宽度在从上端到下端的方向上减小。

10.一种半导体器件，包括：

多个下电极结构，设置在基板上；

支撑图案，设置在所述多个下电极结构之间；

电容器电介质层，设置在所述多个下电极结构中的每个的表面和所述支撑图案的表面上；以及

上电极，设置在所述电容器电介质层上，

通孔，设置在三个相邻的下电极结构之间，

其中所述多个下电极结构包括第一下电极和设置在所述第一下电极上并具有圆筒形状的第二下电极，其中所述第一下电极具有柱形，

其中所述第一下电极包括绝缘芯，其中所述绝缘芯设置在所述第一下电极中，

其中在俯视图中，所述通孔与所述三个相邻的下电极结构部分地重叠。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中

所述第一下电极的外侧表面和所述第二下电极的外侧表面是共平面的。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述绝缘芯包括非晶硅、非晶碳层(ACL)和/或硅氧化物。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述绝缘芯的下端位于比所述第一下电极的下表面高的水平处。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二下电极的表面的直径为50nm或更小。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述绝缘芯的上端包括向下突出的凹入形状。

16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述绝缘芯的宽度在从上端到下端的方向上减小。