[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 201910674967.0 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110957216A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 大桥直史;广濑义朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/67;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的目的在于，在制造悬臂结构传感器时，以相对于可动电极具有湿法蚀刻的选择性的方式形成高湿法蚀刻速率的牺牲膜。解决手段为提供下述技术：将具有以覆盖控制电极、基座、对置电极的方式形成且含有杂质的牺牲膜的衬底载置于衬底载置部，对所述衬底进行加热，加热后，向所述衬底供给等离子体状态的含氧气体，使所述杂质从所述牺牲膜脱离从而改质为改质牺牲膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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