[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

将衬底载置于处理室内的衬底载置部的工序，所述衬底具有以覆盖控制电极、基座、对置电极的方式形成且含有杂质的牺牲膜；

对所述衬底进行加热的工序；以及

在所述进行加热的工序后，向所述衬底供给等离子体状态的含氧气体从而使所述杂质从所述牺牲膜脱离，从而改质为改质牺牲膜的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述进行加热的工序中，供给所述含氧气体。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述改质的工序后，进行向所述改质牺牲膜上供给含氢气体从而对所述改质牺牲膜进行氢封端的疏水加工工序。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含氢气体为等离子体状态。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，所述疏水加工工序与所述改质牺牲膜工序在同一处理室内连续进行。

6.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述疏水加工工序与所述改质牺牲膜工序在同一处理室内连续进行。

7.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述改质的工序后，进行向所述改质牺牲膜上供给含氧气体和含硅气体从而形成覆盖膜的疏水加工工序。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，所述疏水加工工序与所述改质牺牲膜工序在同一处理室内连续进行。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，形成所述覆盖膜后，在所述覆盖膜上形成含硅膜。

10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，形成所述覆盖膜后，在所述覆盖膜上形成含硅膜。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述进行加热的工序中，供给非活性气体。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述改质的工序后，进行向所述改质牺牲膜上供给含氢气体从而对所述改质牺牲膜进行氢封端的疏水加工工序。

13.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述改质的工序后，进行向所述改质牺牲膜上供给含氧气体和含硅气体从而形成覆盖膜的疏水加工工序。

14.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述改质的工序后，进行向所述改质牺牲膜上供给含氢气体从而对所述改质牺牲膜进行氢封端的疏水加工工序。

15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含氢气体为等离子体状态。

16.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中，所述疏水加工工序与所述改质牺牲膜工序在同一处理室内连续进行。

17.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述改质的工序后，进行向所述改质牺牲膜上供给含氧气体和含硅气体从而形成覆盖膜的疏水加工工序。

18.如权利要求17所述的半导体器件的制造方法，其中，所述疏水加工工序是在将所述衬底载置于所述衬底载置部的状态下进行的。

19.如权利要求17所述的半导体器件的制造方法，其中，形成所述覆盖膜后，在所述覆盖膜上形成含硅膜。