[发明专利]具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法有效
| 申请号： | 201910674865.9 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110783406B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 黄智方;江政毅;王胜弘;洪嘉庆 | 申请（专利权）人： | 黄智方 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/265;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法，第IVA族离子注入层设置于基极之中，且第IVA族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；其中，第IVA族离子注入层用来改变结构的一通道的性质。本发明提出的第IVA族离子注入的金属氧化物半导体场效应晶体管的结构与制造方法可用来改善栅极氧化层品质，提升场效电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 iva 离子 注入 mosfet 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构，其特征在于，包含：/n一基极；/n一栅极电极，该栅极电极与该基极之间具有一栅极氧化层；以及/n一第IVA族离子注入层，设置于该基极之中，且该第IVA族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；/n其中，该第IVA族离子注入层用来改变该结构的一通道的性质。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄智方，未经黄智方许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910674865.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体元件
- 下一篇：集成电路及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
