[发明专利]具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法

权利要求书

1.一种具有第IVA族离子注入的碳化硅MOSFET的结构，其特征在于，包含：

一基极；

一栅极电极，该栅极电极与该基极之间具有一栅极氧化层；以及

一第IVA族离子注入层，设置于该基极之中，且该第IVA族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；

其中，该第IVA族离子注入层用来改变该结构的一通道的性质；在栅极氧化层进行氧化前，向SiC层注入第IVA族离子，形成第IVA族元素离子注入层；该第IVA族离子注入层不设置于该栅极氧化层中。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该通道的性质包含一通道电子迁移率及一阈值电压。

3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第IVA族离子注入层用来增加该基极的键结。

4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第IVA族离子注入层为一硅离子注入层。

5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该结构更包含：

一源极层，设置于该基极的上表面；

一源极电极，设置于该源极层的上表面，并接触该栅极氧化层的一侧壁，且该源极电极覆盖部分该源极层；

一漏极层，设置于该基极的上表面；以及

一漏极电极，设置于该漏极层的上表面，并接触该栅极氧化层的另一侧壁，且该漏极电极覆盖部分该漏极层；

其中，该栅极氧化层覆盖部分该源极层、部分该漏极层以及部分该基极；该源极层与该漏极层为一第一型半导体材料；以及该基极为一第二型半导体材料；以及该硅离子注入层设置于该源极层与该漏极层的中，且该硅离子注入层接近于该源极层与该源极电极的交界面、该源极层与该栅极氧化层的交界面、该漏极层与该漏极电极的交界面、以及该漏极层与该栅极氧化层的交界面。

6.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该结构更包含：

一源极层，设置于该基极的上表面，且部分该源极层被该基极包覆；

一源极电极，设置于该源极层的上表面，并接触该栅极氧化层的一侧壁，且该源极电极覆盖部分该源极层；

一漂移层，设置并接触于该栅极氧化层的下表面并包覆该基极；

一基板，接触并设置于该漂移层之下；以及

一漏极电极，设置于该基板之下；

其中，该栅极氧化层覆盖部分该源极层、部分该基极以及部分该漂移层；该源极层、该漂移层以及该基板为一第一型半导体材料；该基极为一第二型半导体材料；以及该硅离子注入层设置于该源极层与该漂移层之中，且该硅离子注入层接近于该源极层与该源极电极的交界面、该源极层与该栅极氧化层的交界面、以及该漂移层与该栅极氧化层的交界面。

7.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该结构更包含：

一金属层，分别设置于该结构的一上表面与一底面，以分别形成一源极电极与一漏极电极；

一基板，设置于该漏极电极之上；

一漂移层，设置于该基板之上；

一基极，设置于该漂移层之上；

一源极层，设置于该基极之上；

一沟槽，延伸通过该基极与该源极层，且该沟槽的底部终止于该漂移层，且该栅极氧化层设置于该沟槽内，该栅极电极被该栅极氧化层所包覆；

其中，该栅极氧化层覆盖部分该源极层、部分该基极以及部分该漂移层；该源极层、该漂移层以及该基板为一第一型半导体材料；该基极为一第二型半导体材料；以及该硅离子注入层设置于该源极层与该漂移层之中，且该硅离子注入层接近于该源极层与该源极电极的交界面、该源极层与该栅极氧化层的交界面、以及该漂移层与该栅极氧化层的交界面。