[发明专利]横向变掺杂终端结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910668739.2 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112310188A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 肖婷;史波;曾丹;吴佳蒙;刘勇强 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 韩来兵 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及功率半导体领域，具体而言，涉及一种横向变掺杂终端结构的制造方法及其制备得到的横向变掺杂终端结构。横向变掺杂终端结构的制造方法包括以下步骤：在衬底上生长的氧化层上刻蚀出一阶梯状区域；在氧化层的阶梯状区域上方向衬底内注入掺杂离子，然后高温推进；在结构表面生长一层隔离氧化层；在隔离氧化层表面形成场板。通过控制终端氧化层的刻蚀厚度，形成阶梯渐变结构，离子注入推进后，实现终端离子注入剂量的沿着阶梯渐变方向的变掺杂，实现了终端窗口的大角度倾斜边缘和阶梯渐变结构，综合了结终端扩展结构和横向变掺杂结构的特点，解决了现有技术在实现横向变掺杂结构中由于终端环注入离子断开而出现漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 掺杂 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海格力电器股份有限公司，未经珠海格力电器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910668739.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：消息发送方法、装置、终端及存储介质
- 下一篇：一种磁芯去毛刺排列机
- 同类专利
- 专利分类
