[发明专利]横向变掺杂终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底(1)上生长的氧化层(2)上刻蚀出一阶梯状区域；

在氧化层(2)的阶梯状区域上方向所述衬底(1)内注入掺杂离子，然后高温推进；

在结构表面生长一层隔离氧化层(3)；

在所述隔离氧化层(3)表面形成场板(4)。

2.根据权利要求1所述的横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，在衬底(1)上生长的氧化层(2)上刻蚀出一阶梯状区域的过程包括：

在所述氧化层(2)上涂覆光刻胶，经过曝光、显影、刻蚀处理，将经过曝光的光刻胶打开，刻蚀光刻胶打开处的氧化层，然后去除光刻胶；

在结构表面涂覆光刻胶，再次经过曝光、显影、刻蚀处理，将光刻胶打开，光刻胶的打开部分覆盖上一次的刻蚀区域并向一侧延伸，将打开处的氧化层刻蚀一部分，然后去除光刻胶；

在结构表面涂覆光刻胶，再次经过曝光、显影、刻蚀处理，将光刻胶打开，光刻胶的打开部分覆盖上一次的刻蚀区域并继续向一侧延伸，将打开处的氧化层刻蚀一部分，然后去除光刻胶；

根据需要完成的阶梯状区域的大小，重复上一步骤。

3.根据权利要求2所述的横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，在第一次刻蚀过程中，刻蚀光刻胶打开处的全部氧化层。

4.根据权利要求2所述的横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，第二次刻蚀的深度小于所述氧化层(2)的厚度。

5.根据权利要求4所述的横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，由第三次刻蚀开始，刻蚀深度小于第二次刻蚀过程新延伸区域经上一次刻蚀后剩余的氧化层厚度。

6.根据权利要求1所述的横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，所述氧化层为通过热氧化工艺形成在所衬底上的二氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，所述衬底为第一传导类型的半导体材料，在氧化层(2)的阶梯状区域上方向所述衬底(1)内注入第二传导类型的掺杂离子。

8.根据权利要求1所述的横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，在刻蚀形成阶梯状区域之前还包括：提供一个所述衬底(1)，在所述衬底(1)上生长一层所述氧化层(2)。

9.根据权利要求1所述的横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，所述隔离氧化层为通过化学气相沉积方法形成的硼磷硅玻璃薄膜。

10.根据权利要求1所述的横向变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，形成所述场板(4)的过程为：在所述隔离氧化层(3)表面淀积金属层，经过曝光、显影、刻蚀后，形成所述场板(4)。

11.一种横向变掺杂终端结构，其特征在于，其采用权利要求1-10任一项所述的制造方法制备得到。

12.根据权利要求11所述的横向变掺杂终端结构，其特征在于，包括依次设置的衬底、氧化层、隔离氧化层和场板，所述氧化层靠近所述隔离氧化层的一侧表面呈阶梯状设置。