[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括缓冲层、位于缓冲层上的半导体层、由半导体层材料经过导体化形成的第一导体电极和第二导体电极、覆盖在半导体层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极、源极、漏极和源漏连接电极，所述源极在像素区域内与第一导体电极接触，所述漏极在像素区域内与第二导体电极接触，所述源漏连接电极在端子区域与栅极接触。本发明通过半导体层和栅极绝缘层连续成膜，改善半导体层和栅极绝缘层之间的界面，可以避免栅极绝缘层在刻蚀的过程中造成源漏极金属产生断线；本发明半导体层作为保护层，可以避免缓冲层过刻。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1：连续沉积缓冲层、半导体材料层、第一绝缘材料层和第一金属层；/nS2：对第一金属层和第一绝缘材料层进行图形化处理形成栅极和位于栅极下方的栅极绝缘层；/nS3：对半导体材料层进行刻蚀形成位于栅极绝缘层下方的半导体层，其中在像素区域内的半导体层的长度大于栅极绝缘层的长度，端子区域内的半导体层的长度等于栅极绝缘层的长度；/nS4：对暴露于栅极绝缘层外的半导体层进行导体化处理使得栅极绝缘层两侧的半导体层分别形成第一导体电极和第二导体电极；/nS5：沉积第二绝缘材料层并对第二绝缘材料层进行刻孔形成层间绝缘层、位于第一导体电极上的第一接触孔、位于第二导体电极上的第二接触孔以及位于端子区域的栅极上的第三接触孔；/nS6：沉积第二金属层并对第二金属层进行图形化形成位于第一接触孔内的源极、位于第二接触孔内的漏极以及位于第三接触孔内的源漏连接电极。/n