[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：连续沉积缓冲层、半导体材料层、第一绝缘材料层和第一金属层；

S2：对第一金属层和第一绝缘材料层进行图形化处理形成栅极和位于栅极下方的栅极绝缘层；

S3：对半导体材料层进行刻蚀形成位于栅极绝缘层下方的半导体层，其中在像素区域内的半导体层的长度大于栅极绝缘层的长度，端子区域内的半导体层的长度等于栅极绝缘层的长度；

S4：对暴露于栅极绝缘层外的半导体层进行导体化处理使得栅极绝缘层两侧的半导体层分别形成第一导体电极和第二导体电极；

S5：沉积第二绝缘材料层并对第二绝缘材料层进行刻孔形成层间绝缘层、位于第一导体电极上的第一接触孔、位于第二导体电极上的第二接触孔以及位于端子区域的栅极上的第三接触孔；

S6：沉积第二金属层并对第二金属层进行图形化形成位于第一接触孔内的源极、位于第二接触孔内的漏极以及位于第三接触孔内的源漏连接电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：步骤S2的栅极和栅极绝缘层同时形成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：步骤S2的具体步骤为：先对第一金属层进行图形化并形成位于第一绝缘材料层上的栅极，然后对第一绝缘材料层进行整面刻蚀并形成位于栅极下方的栅极绝缘层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述半导体材料为金属氧化物半导体材料。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：第一金属层和第二金属层的材料包括但不限于Mo单层、Ti和Cu叠层、Mo/Al/Mo叠层和MoNb/Cu叠层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：步骤S4的对暴露于栅极绝缘层外的半导体层进行导体化处理的方法包括：等离子体处理、离子注入和高温烘烤。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：第一绝缘层材料和第二绝缘层材料包括但不限于SiO₂、SiO_x、Al₂O₃和SiN_x。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于：其包括缓冲层、位于缓冲层上的半导体层、由半导体层材料经过导体化形成的第一导体电极和第二导体电极、覆盖在半导体层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极、源极、漏极和源漏连接电极，所述源极在像素区域内与第一导体电极接触，所述漏极在像素区域内与第二导体电极接触，所述源漏连接电极在端子区域与栅极接触。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于：还包括位于栅极上的层间绝缘层，所述源极、漏极和源漏连接电极位于层间绝缘层上。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述层间绝缘层设有位于第一导体电极上的第一接触孔、位于第二导体电极上的第二接触孔以及位于端子区域的栅极上的第三接触孔，所述源极通过第一接触孔与第一导体电极连接，漏极通过第二接触孔与第二导体电极连接，源漏连接电极通过第三接触孔与栅极连接。