[发明专利]测试LED芯片参数的方法有效

专利信息
申请号: 201910660037.X 申请日: 2019-07-22
公开(公告)号: CN112259644B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华;王成新 申请(专利权)人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 黄晓燕
地址: 261061 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明实施例公开了测试LED芯片参数的方法,包括步骤:S1,对芯片进行半切操作,形成测试点;S2,对芯片进行参数测试,输出芯片参数测试结果及各参数的Mapping图;S3,全切,形成若干颗独立的管芯;S4,扩膜,使所述管芯之间产生间隙;S5,对应Mapping图,划定参数范围,并夹取划定范围内的管芯,放置到铜板上;S6,对管芯逐一进行扎测,输出单颗管芯参数测试结果;S7,将芯片参数测试结果与管芯参数测试结果进行对比,若两测试结果符合差异率标准,测试通过。通过对全切后的管芯进行扎测,将芯片测试参数与管芯扎测参数对比,提高了对芯片测试参数的准确性监控,保证了产品性能参数的准确性,提升产品可靠性。
搜索关键词: 测试 led 芯片 参数 方法
【主权项】:
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