[发明专利]测试LED芯片参数的方法

说明书

本发明实施例公开了测试LED芯片参数的方法，包括步骤：S1,对芯片进行半切操作，形成测试点；S2,对芯片进行参数测试，输出芯片参数测试结果及各参数的Mapping图；S3，全切，形成若干颗独立的管芯；S4,扩膜，使所述管芯之间产生间隙；S5，对应Mapping图，划定参数范围，并夹取划定范围内的管芯，放置到铜板上；S6,对管芯逐一进行扎测，输出单颗管芯参数测试结果；S7，将芯片参数测试结果与管芯参数测试结果进行对比，若两测试结果符合差异率标准，测试通过。通过对全切后的管芯进行扎测，将芯片测试参数与管芯扎测参数对比，提高了对芯片测试参数的准确性监控，保证了产品性能参数的准确性，提升产品可靠性。

技术领域

本发明涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片测试技术领域,具体地说是测试LED芯片参数的方法。

背景技术

LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同，可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。LED芯片发光效率高，颜色范围广，使用寿命长，已被广泛应用于大屏显示、景观照明、交通信号灯、汽车状态显示等各个领域。随着集成电路技术的进步和发展，产品更趋向于多功能化，集成度要求越来越高，应用的范围宽度及深度也越来越广。

在LED芯片制备工艺中，经过前道的光照、蒸镀、研磨等制程后芯片主要制程已基本完成，后道进行测试验证芯片的参数性能。通过每片芯片参数的Mapping图对切割后变成一颗颗独立管芯的芯片进行不同参数范围内分频，下游封装厂会根据不同的参数进行不同的封装或进行不同IC(Integrated Circuit集成电路)贴片的工艺调整。因此，芯片的参数就代表了该芯片的身份证，不同的芯片参数范围是不能混用的，所以对芯片参数的准确性提出了更高的要求。

现有对LED芯片参数的测试是在未进行全透切前进行，切割后芯片需要进行分包处理，即将相同参数段的芯片分在一起，作业过程中存在不同参数段的芯片混在一起的概率，不能保证封装参数或贴片参数与LED芯片本身参数的准确对应。

发明内容

本发明实施例中提供了测试LED芯片参数的方法，以解决现有技术中参数测试仅在全透切之前，不能保证封装参数或贴片参数与LED芯片本身参数准确对应的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例公开了如下技术方案：

本发明提供了一种测试LED芯片参数的方法，包括以下步骤：

S1,对芯片进行半切操作，形成测试点；

S2,基于所述测试点，对芯片进行参数测试，输出芯片参数测试结果及各参数的Mapping图；

S3，对芯片进行全切，形成若干颗独立的管芯；

S4,对全切后的芯片进行扩膜，使所述管芯之间产生间隙；

S5，对应Mapping图，划定参数范围，并夹取参数在划定范围内的管芯，放置到铜板上；

S6,对铜板上的管芯逐一进行扎测，输出单颗管芯参数测试结果；

S7，将步骤S2中芯片参数测试结果与步骤S6中的管芯参数测试结果进行对比，若两测试结果符合差异率标准，则当前LED芯片参数测试通过。

进一步地，所述步骤S1中，将LED芯片吸附在锯片机半切工作盘上进行半切操作；设置刀片高度为100-160μm，切割速度为10-70mm/秒，锯片刀刀刃伸出量为550-610μm，切割槽宽度为15-20μm，微透切的深度为芯片厚度的20％～25％。

进一步地，所述步骤S2中，设定测试电流，测试电流的流通时间为1-15ms。