[发明专利]一种纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料的制备方法和应用有效
| 申请号: | 201910659687.2 | 申请日: | 2019-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN110400699B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
| 发明(设计)人: | 杨萍;丰丽娜;凌文钦;石建军;朱立;聂志豪;章文凯 | 申请(专利权)人: | 安徽理工大学 |
| 主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/84;H01G11/86 |
| 代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 靳红妍 |
| 地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: |
本发明提供了一种以泡沫镍为基质,负载NiMoO |
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| 搜索关键词: | 一种 纳米 ni nimoo4 ni3s2 电极 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料,其特征在于:通过简单和低成本的水热法和热处理工艺在泡沫镍上原位生长NiMoO4纳米线阵列。然后采用水热法将Ni3S2纳米片负载在Ni@NiMoO4纳米线骨架上,得到纳米花状Ni@NiMoO4@Ni3S2微、纳米电极材料。
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