[发明专利]一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管

摘要

本发明提供了一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管，包括底部栅极层、底栅绝缘层、源极层、半导体层和漏极层，所述垂直结构场效应晶体管的顶部和底部分别为所述底部栅极层、所述漏极层，所述底栅绝缘层位于所述底部栅极层与所述源极层之间，所述半导体层位于所述漏极层与所述源极层之间，所述半导体层为钙钛矿单晶薄片，厚度等于导电沟道的长度。本发明的基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管克服了钙钛矿晶界所造成的负面影响，从而有效的提高了电荷传输，并且这种垂直结构的器件减小了导电沟道长度，极大的提高了器件的工作电流并降低了器件的阈值电压。