[发明专利]一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管

权利要求书

1.一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管，其特征在于，包括底部栅极层、底栅绝缘层、源极层、半导体层和漏极层，所述垂直结构场效应晶体管的顶部和底部分别为所述底部栅极层、所述漏极层，所述底栅绝缘层位于所述底部栅极层与所述源极层之间，所述半导体层位于所述漏极层与所述源极层之间，所述半导体层为钙钛矿单晶薄片，厚度等于导电沟道的长度。

2.根据权利要求1所述的基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管，其特征在于，所述钙钛矿单晶薄片的晶体结构为立方相结构、四方相结构、正交相结构中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管，其特征在于，钙钛矿单晶为APbX₃钙钛矿单晶，其中，

A为Li，Na，K，Rb，Cs，CH₃NH₃，HC(NH₂)₂，C₆H₅CH₂CH₂NH₃中任意一种，或者为Li，Na，K，Rb，Cs，CH₃NH₃，HC(NH₂)₂，C₆H₅CH₂CH₂NH₃相互任意掺杂；

X为Br、Cl、I及F中任意一种，或者为Br、Cl、I及F相互任意掺杂。

4.根据权利要求1所述的基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管，其特征在于，钙钛矿单晶为AMX₃钙钛矿单晶，其中，

M为Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Ge，Sn，Pb，Fe，Co，Ni中任意一种，或者为Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Ge，Sn，Pb，Fe，Co，Ni相互任意掺杂；

A为Li，Na，K，Rb，Cs，CH₃NH₃，HC(NH₂)₂，C₆H₅CH₂CH₂NH₃中任意一种，或者为Li，Na，K，Rb，Cs，CH₃NH₃，HC(NH₂)₂，C₆H₅CH₂CH₂NH₃相互任意掺杂；

X为Br、Cl、I及F中任意一种，或者为Br、Cl、I及F相互任意掺杂。

5.根据权利要求1所述的基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管，其特征在于，钙钛矿单晶为AMX₆双元晶胞钙钛矿单晶，其中，

M为Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Ge，Sn，Pb，Fe，Co，Ni中任意一种，或者为Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Ge，Sn，Pb，Fe，Co，Ni相互任意掺杂；

A为Li，Na，K，Rb，Cs，CH₃NH₃，HC(NH₂)₂，C₆H₅CH₂CH₂NH₃中任意一种，或者为Li，Na，K，Rb，Cs，CH₃NH₃，HC(NH₂)₂，C₆H₅CH₂CH₂NH₃相互任意掺杂；

X为Br、Cl、I及F中任意一种，或者为Br、Cl、I及F相互任意掺杂。

6.根据权利要求1所述的基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管，其特征在于，所述底部栅极层的材质为Si。