[发明专利]半导体管芯有效
| 申请号： | 201910655581.5 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739295B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | A.范德西伊德;N.B.普费弗;Q.范沃尔斯特瓦德;P.施密特 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李舒;闫小龙 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种半导体管芯(1)，包括至少第一发光二极管(L1)和第二发光二极管(L2)，其中第一发光二极管(L1)包括形成在第一管芯区域(A1)中的第一二极管(D1)和沉积在第一管芯区域(A1)上的第一磷光体层(P1)；第二发光二极管(L2)包括第二二极管(D2)和沉积在第二管芯区域(A2)上的第二磷光体层(P2)；第一二极管(D1)和第二二极管(D2)反并联电连接；并且其中第二磷光体层(P2)的光学属性与第一磷光体层(P1)的光学属性不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 管芯 | ||
【主权项】：
1.一种半导体管芯(1)，包括至少第一发光二极管(L1)和第二发光二极管(L2)，其中/n-所述第一发光二极管(L1)包括形成在第一管芯区域(A1)中的第一二极管(D1)和沉积在所述第一管芯区域(A1)上的第一磷光体层(P1)；/n-所述第二发光二极管(L2)包括第二二极管(D2)和沉积在第二管芯区域(A2)上的第二磷光体层(P2)；/n-所述第一二极管(D1)和所述第二二极管(D2)反并联电连接；并且其中/n-所述第二磷光体层(P2)的光学属性与所述第一磷光体层(P1)的光学属性不同。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亮锐控股有限公司，未经亮锐控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910655581.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率模块结构
- 下一篇：一种双色LED灯珠封装结构
- 同类专利
- 专利分类
