[发明专利]半导体管芯

权利要求书

1.一种半导体管芯(1)，包括至少第一发光二极管(L1)和第二发光二极管(L2)，其中

-所述第一发光二极管(L1)包括形成在第一管芯区域(A1)中的第一二极管(D1)和沉积在所述第一管芯区域(A1)上的第一磷光体层(P1)；

-所述第二发光二极管(L2)包括第二二极管(D2)和沉积在第二管芯区域(A2)上的第二磷光体层(P2)；

-所述第一二极管(D1)和所述第二二极管(D2)反并联电连接；并且其中

-所述第二磷光体层(P2)的光学属性与所述第一磷光体层(P1)的光学属性不同。

2.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述第一发光二极管(L1)和所述第二发光二极管(L2)发射不同波长范围内的电磁辐射。

3.根据权利要求2所述的半导体管芯，其中由所述第一发光二极管(L1)发射的电磁辐射与由所述第二发光二极管(L2)发射的电磁辐射之间的波长差（Δλ）包括至少200 nm。

4.根据权利要求2所述的半导体管芯，其中由所述第一发光二极管(L1)发射的电磁辐射与由所述第二发光二极管(L2)发射的电磁辐射之间的波长差（Δλ）包括至少250 nm。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体管芯，其中第一二极管(D1)被提供作为第二二极管(D2)的瞬态电压抑制器，第二二极管(D2)被提供作为第一二极管(D1)的瞬态电压抑制器。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体管芯，其中第一发光二极管(L1)发射可见光谱内的电磁辐射。

7.根据权利要求6所述的半导体管芯，其中可见光谱发光二极管(L1)的所述第一磷光体层(P1)包括YAG:Ce、(Y,Lu)AG:Ce和(Ba,Sr)2Si5N8:Eu(BSSN)、SR[LiAl3N4]:Eu2+、Eu活化的Ba-Mg-铝酸盐、ZnS:Ag、Sr3MgSi2O8:Eu、Y_3-xAl_5-yGa_yO12:Ce_x（其中0.002 x 0.12且0=y =0.4）、Sr_1-x-yCa_ySiAlN3:Eu_x（其中0.001 x 0.03且0 =y =1）中的任一种。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体管芯，其中两个发光二极管(L1、L2)都发射可见光谱内的电磁辐射。

9.根据权利要求7所述的半导体管芯，其中第二发光二极管(L2)发射红外范围内的电磁辐射。