[发明专利]一种碳化硅包覆的空心硅材料、其制备方法以及使用该材料的电极和电化学装置有效
| 申请号： | 201910650487.0 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN112242504B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 邱新平;张文广;徐涵颖;郑曦;李慧玉 | 申请（专利权）人： | 北京清创硅谷科技有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 夏东栋;钱程 |
| 地址： | 100192 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种碳化硅包覆的空心硅材料，其特征在于，该材料包括空心硅颗粒，以及包覆在空心硅颗粒上的碳化硅致密层。根据本公开的方法，通过在空心硅外层沉积碳化硅，限制了体积向外膨胀，同时空心结构为材料提供了向内膨胀的空间，从而抑制了硅负极材料外观体积变化问题，显著提高了电池的循环寿命。本公开合成的碳化硅薄膜均匀、致密。而且本公开的合成工艺简单，易于产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 空心 材料 制备 方法 以及 使用 电极 电化学 装置 | ||
【主权项】：
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