[发明专利]一种碳化硅包覆的空心硅材料、其制备方法以及使用该材料的电极和电化学装置

权利要求书

1.一种碳化硅包覆的空心硅材料，其特征在于，

该材料包括空心硅颗粒，以及包覆在空心硅颗粒上的碳化硅致密层，

所述空心硅的空腔的粒径在10-50nm之间，该空心硅的粒径在30-100nm之间，且空心硅上包覆的碳化硅致密层的厚度在2-5nm之间，以及

所述碳化硅致密层中还包括碳，以及，所述碳化硅致密层中的碳与碳化硅的重量比为13：87至33：67，其中

该材料的比表面积是15-20m²/g。

2.根据权利要求1所述的空心硅材料，其中

该碳化硅在通过单色镜利用的铜辐射测量的X射线粉末衍射图中，在35.5°±0.02°、60°±0.02°、72°±0.02°的衍射角2θ处有特征峰。

3.一种根据权利要求1所述的碳化硅包覆的空心硅材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤1：将空心硅颗粒放入反应炉内；

步骤2：在惰性气体环境下，在1050-1150℃的条件下，基于空心硅的重量，通入5-10％重量的碳源气体；

其中，所述碳源气体为CO，以及

在步骤2中还同时通入体积相当于CO含量的25％的量的H₂。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中

步骤2的持续时间是5-20min。

5.一种使用根据权利要求1-2中任一项所述碳化硅包覆的空心硅材料制备的负极。

6.一种使用根据权利要求1-2中任一项所述碳化硅包覆的空心硅材料制备的电化学装置。

7.根据权利要求6所述的电化学装置，其中

所述电化学装置是锂离子电池或者超级电容器。