[发明专利]一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法有效
| 申请号： | 201910649892.0 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN112242458B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 徐晓强;程华;吴向龙;闫宝华 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 261061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，包括如下步骤：包括如下步骤：(1)将AlGaInP LED的外延层与硅衬底进行键合；(2)在LED芯片的正面划出切割道；(3)在LED芯片的背面覆盖导电膜；(4)从LED芯片的背面进行裂片；(5)对LED芯片进行高压纯水清洗、吹干；(6)在LED芯片的背面重新覆盖导电膜；(7)使用压膜机对LED芯片的进行压膜；(8)去除覆盖在LED芯片背面的导电膜，再进行扩膜、翻膜处理。通过对硅衬底进行处理，在LED芯片的背面覆盖导电膜，能够有效的改善LED芯片切割质量，改善崩角、外延层脱落的情况，将产品切割后的异常率降低至0.16％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 极性 algainp led 芯片 切割 质量 方法 | ||
【主权项】：
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