[发明专利]一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法

权利要求书

1.一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将AlGaInP LED的外延层与硅衬底进行键合，再腐蚀砷化镓衬底，并在所述AlGaInPLED的外延层上制作电极；

（2）在LED芯片的正面划出切割道；

（3）在LED芯片的背面覆盖导电膜；

（4）从LED芯片的背面进行裂片，再将导电膜从LED芯片的背面取下；

（5）对LED芯片进行高压纯水清洗、吹干；

（6）在LED芯片的背面重新覆盖导电膜；

（7）使用压膜机对LED芯片的正面进行压膜；

（8）去除步骤（6）中覆盖在LED芯片背面的导电膜，再进行扩膜、翻膜处理；

步骤（3）中，所述导电膜的厚度为50～100μm，所述导电膜的平整度为（-3）～（+3）μm。

2.根据权利要求1所述的一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述硅衬底在使用前，将所述硅衬底放入到酸性溶液中浸泡处理。

3.根据权利要求2所述的一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，其特征在于，所述酸性溶液包括氟化铵、醋酸和水，所述氟化铵、醋酸、水的质量百分比为（5～15）wt.%：（60～75）wt.%：（10～35）wt.%。

4.根据权利要求1所述的一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，其特征在于，所述硅衬底在酸性溶液中浸泡处理后，再将所述硅衬底放入到碱性溶液中浸泡处理。

5.根据权利要求4所述的一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，其特征在于，所述碱性溶液为氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，所述氢氧化钾或者氢氧化钠溶液的质量浓度为1～7wt.%。

6.根据权利要求1所述的一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，其特征在于，步骤（7）中，所述LED芯片的正面与压膜机之间、所述LED芯片的背面与压膜机之间均放置有隔离纸。

7.根据权利要求6所述的一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，其特征在于，所述隔离纸的厚度为80～120μm，所述隔离纸的平整度为（-3）～（+3）μm。

8.根据权利要求1所述的一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，其特征在于，步骤（7）中，压膜机的温度为15-30℃，压膜机的压膜压力为0.1-0.5MPa，压膜的时间为10-30秒。

9.根据权利要求1所述的一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，其特征在于，步骤（5）中，将LED芯片放入高压纯水清洗机中进行高压纯水清洗，所述高压纯水清洗机的高压水流量为0.5～2.0升/分钟，所述高压纯水清洗机的平台转速2000～5000转/分钟。