[发明专利]具备氧化锌层的发光二极管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910645670.1 申请日: 2019-07-17
公开(公告)号: CN110783437A 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 李剡劤;申赞燮 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/38
代理公司: 11722 北京钲霖知识产权代理有限公司 代理人: 李英艳;玉昌峰
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种具备氧化锌层的发光二极管及其制造方法。一实施例的发光二极管包括:发光结构体,包括氮化镓系列的第一导电型半导体层、氮化镓系列的第二导电型半导体层及介于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层;以及ZnO透明电极层,位于所述第二导电型半导体层上,所述ZnO透明电极层包括ZnO种子层及在所述ZnO种子层上形成的ZnO本体层,所述ZnO本体层与所述ZnO种子层相比是多孔性,所述ZnO种子层和所述第二导电型半导体层之间的界面与所述ZnO种子层和所述ZnO本体层之间的界面相比更平坦,所述ZnO种子层和所述ZnO本体层之间的界面具有不规则的凹凸形状。
搜索关键词: 导电型半导体层 氮化镓系列 发光二极管 透明电极层 发光结构体 凹凸形状 氧化锌层 不规则 多孔性 活性层 平坦 制造
【主权项】:
1.一种发光二极管,包括:/n发光结构体,包括氮化镓系列的第一导电型半导体层、氮化镓系列的第二导电型半导体层及介于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层;以及/nZnO透明电极层,位于所述第二导电型半导体层上,/n所述ZnO透明电极层包括ZnO种子层及在所述ZnO种子层上形成的ZnO本体层,/n所述ZnO本体层与所述ZnO种子层相比是多孔性,/n所述ZnO种子层和所述第二导电型半导体层之间的界面与所述ZnO种子层和所述ZnO本体层之间的界面相比更平坦,/n所述ZnO种子层和所述ZnO本体层之间的界面具有不规则的凹凸形状。/n
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