[发明专利]具备氧化锌层的发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

发光结构体，包括氮化镓系列的第一导电型半导体层、氮化镓系列的第二导电型半导体层及介于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层；以及

ZnO透明电极层，位于所述第二导电型半导体层上，

所述ZnO透明电极层包括ZnO种子层及在所述ZnO种子层上形成的ZnO本体层，

所述ZnO本体层与所述ZnO种子层相比是多孔性，

所述ZnO种子层和所述第二导电型半导体层之间的界面与所述ZnO种子层和所述ZnO本体层之间的界面相比更平坦，

所述ZnO种子层和所述ZnO本体层之间的界面具有不规则的凹凸形状。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述ZnO本体层的与所述ZnO种子层相邻的区域与所述ZnO本体层的顶面相比具有相对更大的空腔。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述ZnO种子层利用溶胶-凝胶法在所述氮化镓系列的第二导电型半导体层上形成，所述ZnO本体层利用水热合成法在所述ZnO种子层上生长。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述透明电极层具有至1μm范围内的厚度。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括基板，

所述发光结构体布置在所述基板上。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，

所述发光结构体包括彼此隔开的多个发光单元，

所述ZnO透明电极层分别布置在所述发光单元的第二导电型半导体层上。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，

所述多个发光单元彼此平行布置。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管包括：

第一电极盘，与至少一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；以及

第二电极盘，与至少一个发光单元的第二导电型半导体层电连接，

所述发光单元在所述第一电极盘和第二电极盘之间串联。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括：

第一电极延伸部，布置在各发光单元的第一导电型半导体层上；以及

第二电极延伸部，布置在各发光单元的透明电极层上。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括连接部，该连接部将相邻的发光单元彼此电连接。

11.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，

各发光单元的第二导电型半导体层被通过台面蚀刻暴露的第一导电型半导体层的顶面包围。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，

所述透明电极层布置在所述第二导电型半导体层的上方区域内，

所述透明电极层的下方面与所述第二导电型半导体层的上方面相比具有窄的面积。

13.一种发光二极管，包括：

发光结构体，包括氮化镓系列的第一导电型半导体层、氮化镓系列的第二导电型半导体层及介于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层；以及

ZnO透明电极层，位于所述第二导电型半导体层上，

所述ZnO透明电极层包括ZnO种子层及在所述ZnO种子层上形成的ZnO本体层，

所述ZnO种子层利用溶胶-凝胶法在所述氮化镓系列的第二导电型半导体层上形成，所述ZnO本体层利用水热合成法在所述ZnO种子层上生长，所述ZnO本体层与所述ZnO种子层相比是多孔性。