[发明专利]一种高通量形成拟胚体的微阵列芯片的制备方法与应用

摘要

本发明提供一种高通量形成拟胚体的微阵列芯片的制备方法与应用，该方法利用软蚀刻技术制备了具有微米尺度的阵列微柱结构的PDMS聚合物芯片。通过优化微柱结构的高度和间距来控制干细胞来源的拟胚体的形状、大小、均一性。该方法可以高通量形成拟胚体，并可以原位动态观察拟胚体增殖、发育的全过程。该芯片具有可以有效去除凋亡细胞和细胞碎片，保证拟胚体之间的营养供给和信号传递的特点，克服了传统拟胚体形成和悬浮培养分步实现的缺点，具有简化拟胚体操作步骤，高通量、原位形成与分化的优势，无需特殊的仪器和试剂，可与其他技术集成化。

主权项

1.一种高通量形成拟胚体的微阵列芯片的应用，其特征在于：利用上述芯片高通量形成拟胚体并进行拟胚体原位生长培养，具体步骤为：/n(1)芯片无菌化：将上述拟胚体原位形成的微阵列芯片用氧等离子处理1～3分钟，加入去离子水；120～125℃高压灭菌20～30分钟；将芯片置于无菌的培养皿中4℃保存或降至室温后直接使用；/n(2)拟胚体形成：取出芯片，加入mTeSR1培养基，不断用移液器吹打，去除小柱间的气泡，使微柱间隙充满培养基；将人诱导性多潜能干细胞(hiPSCs)用分散酶消化成单细胞，将密度在5×10⁶-10×10⁶个hiPSCs/cm²细胞接种到(1)所述的芯片中，加入1.5～2ml的mTeSR1培养基，并加入10～20μM的Y27632；静止培养24～48小时，形成大小一致的拟胚体；根据细胞接种数量实现拟胚体大小的控制，(5-10)x10⁶/cm²范围的细胞密度可以实现150-300微米直径的细胞球；/n(3)拟胚体原位生长：拟胚体形成的24-48小时更换新鲜的不含Y27632的mTeSR1培养基继续培养，去除死亡细胞和细胞碎片，原位观察拟胚体生长及分化；/n(4)所形成的拟胚体可以用于切片，组织染色。/n