[发明专利]基于SiC图形衬底的极性c面GaN薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910635705.3 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110491973A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;陶鸿昌;朱家铎;陈大正;张雅超;李培咸;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SiC图形衬底的极性c面GaN薄膜及制备方法，主要解决现有GaN薄膜位错密度高、晶体质量低的问题。其包括：SiC衬底层(1)、GaN成核层(3)和c面GaN层(4)，其中SiC图形衬底表面设有按规则排列且间隔均匀的圆锥状图案，该圆锥状图案上覆盖有SiNx层(2)，衬底其余区域露出；GaN成核层(3)分布于锥状图案之间；c面GaN层(4)位于GaN成核层(3)和SiNx层(2)之上。本发明降低了GaN薄膜的位错密度，提高了器件的性能，可用于制作极性c面GaN基的光电及电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 圆锥状 图案 衬底 位错 衬底表面 电子器件 规则排列 间隔均匀 可用 锥状 制备 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.基于SiC图形衬底的极性c面GaN薄膜及其制备方法，包括：/nSiC衬底层(1)、GaN成核层(3)和c面GaN层(4)，其特征在于：/n所述SiC图形衬底层(1)的表面设有规则排列的圆锥状图形，该锥状图形上覆盖有SiNx层(2)，衬底其余区域露出；/n所述GaN成核层(3)分布于锥状图案之间；/n所述c面GaN层(4)位于GaN成核层(3)和SiNx层(2)之上。/n
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