[发明专利]MEMS气体传感器和提高MEMS气体传感器稳定性的方法有效
| 申请号： | 201910630446.5 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110361423B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘宇航;刘秀洁;许诺;汪晓军 | 申请（专利权）人： | 北京机械设备研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京云科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11483 | 代理人： | 张飙 |
| 地址： | 100854 北京市海淀区永*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种MEMS气体传感器、提高MEMS气体传感器稳定性的方法和装置，属于传感器技术领域，所述MEMS气体传感器包括：基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和基于P型掺杂半导体材料的敏感单元中的至少一种，以及，基于P型本征半导体材料的敏感单元；所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元用于检测氧化性气体；所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元用于检测还原性气体；所述基于P型本征半导体材料的敏感单元的电气特性稳定，用于修正所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和/或所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元的电性漂移。有效提高长期稳定性，延长传感器的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | mems 气体 传感器 提高 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS气体传感器，其特征在于，所述MEMS气体传感器包括：基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和基于P型掺杂半导体材料的敏感单元中的至少一种，以及，基于P型本征半导体材料的敏感单元；所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元用于检测氧化性气体；所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元用于检测还原性气体；所述基于P型本征半导体材料的敏感单元的电气特性稳定，用于修正所述基于N型掺杂半导体材料的敏感单元和/或所述基于P型掺杂半导体材料的敏感单元的电性漂移。
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