[发明专利]一种硅基硫化锑异质结太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910622847.6 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110416344A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 梁宗存;孟蓝翔;沈辉;姚志荣;张林坤;蔡伦 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;魏微 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基硫化锑异质结太阳电池，从上至下依次包括前电极、减反层、电子传输层、硅基体、空穴传输层和背电极；所述电子传输层的材料包含硫化锑，所述硅基体为p型单晶硅。本发明所述异质结太阳电池采用硫化锑作为电子传输层，硫化锑与p型硅能带结构能较好地匹配，有利于电子的传输，硫化锑的少子扩散长度大，可以获得较大的短路电流。本发明还公开了一种硅基硫化锑异质结太阳电池的制备方法，该方法工艺简单、低温、安全、环保、易实现，且成本优势显著，略去高温扩散p‑n结工艺，以及HIT电池制备中使用的危险气体等。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化锑 异质结太阳电池 电子传输层 硅基 硅基体 制备 空穴传输层 成本优势 从上至下 电池制备 短路电流 高温扩散 能带结构 危险气体 背电极 减反层 前电极 少子 匹配 传输 扩散 环保 安全 | ||
【主权项】：
1.一种硅基硫化锑异质结太阳电池，其特征在于，从上至下依次包括前电极、减反层、电子传输层、硅基体、空穴传输层和背电极；所述电子传输层的材料包含硫化锑，所述硅基体为p型单晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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