[发明专利]一种硅基硫化锑异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基硫化锑异质结太阳电池，其特征在于，从上至下依次包括前电极、减反层、电子传输层、硅基体、空穴传输层和背电极；所述电子传输层的材料包含硫化锑，所述硅基体为p型单晶硅。

2.如权利要求1所述硅基硫化锑异质结太阳电池，其特征在于，所述电子传输层的厚度为1～100nm；优选地，所述电子传输层的厚度为4～15nm；更优选地，所述电子传输层的厚度为4.5～6.5nm。

3.如权利要求1所述硅基硫化锑异质结太阳电池，其特征在于，所述电子传输层为硫化锑薄膜，所述硫化锑薄膜采用热蒸发法制备而成；所述热蒸发法的工艺参数为：硅基体的温度为20～400℃，真空度为1×e^-2～1×e^-5Pa，蒸发速率为

4.如权利要求1所述硅基硫化锑异质结太阳电池，其特征在于，所述前电极的材料为Ag、Au和Pd中的至少一种。

5.如权利要求1所述硅基硫化锑异质结太阳电池，其特征在于，所述减反层为透明导电金属氧化物TCO层，所述TCO由ITO、AZO或FTO构成。

6.如权利要求1所述硅基硫化锑异质结太阳电池，其特征在于，所述空穴传输层为高功函数过渡金属氧化物构成；所述高功函数过渡金属氧化物为MoO_x、V₂O_x、WO_x或NiO_x。

7.如权利要求1所述硅基硫化锑异质结太阳电池，其特征在于，所述背电极的材料为Ag、Au和Pd中的至少一种。

8.如权利要求1所述硅基硫化锑异质结太阳电池，其特征在于，所述前电极的厚度为10nm～2μm；所述减反层的厚度为10nm～2μm；所述空穴传输层的厚度为2～500nm；所述背电极的厚度为10nm～2μm。

9.一种如权利要求1～8中任一项所述硅基硫化锑异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、在硅基体的表面蒸镀硫化锑薄膜，形成n型硫化锑电子传输层；

(2)、在硫化锑薄膜表面磁控溅射法制备减反层；

(3)、在减反层表面上通过丝网印刷或热蒸发法制备电极，作为前电极；

(4)、在硅基体背面蒸镀过渡金属氧化物，形成欧姆接触层，作为空穴传输层；

(5)、在空穴传输层上继续丝网印刷或热蒸发法制备金属层，作为背电极。

10.如权利要求9所述硅基硫化锑异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，如下(a)～(c)中的任一项：

(a)步骤(2)中，所述磁控溅射法的工艺参数为：硅基体的温度为20～400℃，本底真空度为1×e^-2～1×e^-5Pa，溅射功率为10～200W，氩气流量为10～30sccm，厚度为10nm～2um；

(b)步骤(3)、(4)和(5)中，所述蒸镀的工艺参数为：硅基体的温度为20～400℃，真空度为1×e^-2～1×e^-5Pa，蒸发速率为

(c)步骤(2)还包括对硫化锑薄膜和减反层进行退火处理的步骤，所述退火温度为200～400℃，时间为10～60min。