[发明专利]多层石墨烯及其制备方法有效
| 申请号： | 201910618248.7 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110205603B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 彭海琳;王雅妮;邓兵;刘忠范 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/455;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 司丽琦;于宝庆 |
| 地址： | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供多层石墨烯及其制备方法，包括步骤如下：提供一铜箔；将铜箔贴合于基底上；退火处理贴合基底后的铜箔；于退火处理后的铜箔表面进行化学气相沉积生长石墨烯，得多层石墨烯；其中，铜箔与基底之间具有间隔，且间隔小于10μm。该方法通过预先对铜箔进行处理，使铜箔在进行化学气相沉积时，能够在其上下表面构造出不同的气流层，实现对碳源的持续性催化，最终获得高质量的多层石墨烯。此外，本发明的方法还不受尺寸限制，可实现多层石墨烯的放大生产，具有良好的工业化前景。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 石墨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层石墨烯的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：提供一铜箔；将所述铜箔贴合于基底上；退火处理所述贴合基底后的铜箔；及于所述退火处理后的铜箔表面进行化学气相沉积生长石墨烯，得所述多层石墨烯；其中，所述铜箔与所述基底之间具有间隔，且所述间隔小于10μm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
