[发明专利]一种新型二维三元化合物的制备方法及纳米片

摘要

本发明公开了新型三元二维材料纳米片的制备方法，属于纳米片制备技术领域。本发明利用真空封管技术将高纯度单质烧结成高质量的InGeTe3单晶，并通过将合成得到的InGeTe3粉末加入有机溶剂中，在恒温条件下，用超声波对该溶液进行液相剥离处理，即可得到在有机溶剂中均匀分散、厚度极小的InGeTe3纳米片。本方法可实现高质量单晶的生成；结合有机溶剂，利用液相超声剥离法，实现高效率、重复性好、可控性强的二维InGeTe3纳米片的制备。本发明化学工程简单、生产成本较低、反应周期短、重复性好的优点，适合于大规模制备二维InGeTe3纳米片。

主权项

1.一种新型三元二维材料纳米片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤(1)单晶粉末制作：将In、Ge、Te单质粉末按照化学计量比配料，研磨至均匀混合，并放入石英管中，使用封管机对石英管真空封管，放入马弗炉中烧结，制得InGeTe3单晶粉末；步骤(2)液相剥离处理：选取一种有机溶剂，将其装入超声瓶内；将步骤(1)中获取的InGeTe3单晶粉末放入同一个超声瓶中进行液相超声处理；得到分散在有机溶剂中的InGeTe3纳米片；同时也得到含有InGeTe3纳米片的分散液；步骤(3)离心处理：将步骤(2)获取的分散液进行离心处理，收集上清液；将上清液滴在Si片衬底上，进行干燥，即能够在电镜下观察到InGeTe3纳米片。