[发明专利]一种有机半导体激光产生方法及装置有效

专利信息
申请号: 201910611842.3 申请日: 2019-07-08
公开(公告)号: CN110504619B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 陶国华;谭云舒 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: H01S5/36 分类号: H01S5/36
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种有机半导体激光产生方法及装置,所述方法包括:当有机半导体基态电子接收到电信号后,所述有机半导体基态电子激发到激发态;调控声子,通过电子与声子的直接耦合达到电荷传输态;通过电子与声子直接耦合发生单线态裂分,达到亚稳定的多激子中间态,产生粒子数反转;所述有机半导体基态电子不断从多激子中间态跃迁回基态,控制有机半导体层产生激光。本发明将单线态的多激子中间态最终转化为单线态基态,不需要系间窜越,转化效率高,通过对电声子耦合的调节,使激光的性能更加优异,可广泛应用于有机半导体激光器件领域。
搜索关键词: 一种 有机半导体 激光 产生 方法 装置
【主权项】:
1.一种有机半导体激光产生方法,其特征在于,所述有机半导体激光产生方法包括:/n当有机半导体基态电子接收到电信号后,所述有机半导体基态电子激发到激发态;/n调控声子,通过电子与声子的直接耦合达到电荷传输态;/n通过电子与声子直接耦合发生单线态裂分,达到亚稳定的多激子中间态,产生粒子数反转;/n所述有机半导体基态电子不断从多激子中间态跃迁回基态,控制有机半导体层产生激光。/n
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