[发明专利]一种掺杂有杂原子的石墨烯垂直有序阵列及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910610294.2 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110201692B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 姜彬;梁珂朋;杨祖进 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | B01J27/20 | 分类号： | B01J27/20;B01J27/24;B01J27/16;B01J35/10;C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂有杂原子的石墨烯垂直有序阵列及其制备方法和应用；此方法一步掺杂、垂直、还原制备的掺杂石墨烯垂直有序阵列，具有价廉易得、高效稳定、可大规模生产的产品特性，通过该制备方法制备出的该墨烯为三维有序阵列的石墨烯，石墨烯内掺杂有杂原子；因为掺杂有杂原子，使得制备出来的材料微观上具有大比表面积和多孔隙率的特点；三维阵列石墨烯本身具有高度有序排列的特点；该材料表现出来的导电性好、机械性能优异，催化活性高，在HER领域有着广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 原子 石墨 垂直 有序 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂有杂原子的石墨烯垂直有序阵列，其特征在于，所述掺杂有杂原子的石墨烯垂直有序阵列为垂直有序多孔结构，孔径为20‑30μm，石墨烯的片层厚度20‑50nm。
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