[发明专利]多波段探测结构及其制作方法

摘要

本发明揭示了一种多波段探测结构，包括衬底以及形成于衬底上纳米线阵列，所述纳米线阵列至少包括：一维结构的第一半导体纳米线，具有第一吸收波长；一维结构的第二半导体纳米线，具有第二吸收波长，第一吸收波长和第二吸收波长不同，且第一半导体纳米线和第二半导体纳米线并列设置。本发明还揭示了一种多波段探测结构的制作方法，第一半导体纳米线或第二半导体纳米线在催化剂作用下外延生长于衬底表面。本发明通过双层掩膜的手段实现β‑Ga2O3和GaAs系材料纳米线的横向分布阵列集成，利用纳米线的二维方向应力释放特性实现异质材料的高质量单片集成，并利用纳米线阵列的光陷阱效应提高光吸收率，从而为高性能多波段光探测器研发制备提供器件结构支持。