[发明专利]多波段探测结构及其制作方法

权利要求书

1.一种多波段探测结构的制作方法，其特征在于，所述多波段探测结构包括衬底以及形成于衬底上纳米线阵列，所述纳米线阵列包括：

一维结构的第一半导体纳米线，具有第一吸收波长；

一维结构的第二半导体纳米线，具有第二吸收波长，所述第一吸收波长和第二吸收波长不同，且第一半导体纳米线和第二半导体纳米线并列设置；

并且，所述的制作方法包括：

（1）在衬底表面沉积第一掩膜，并在第一掩膜上开设第一催化剂孔；

（2）在第一催化剂孔内沉积第一催化剂；

（3）在第一掩膜表面沉积第二掩膜，并在第二掩膜上开设第二催化剂孔至衬底表面，所述第二催化剂孔和第一催化剂孔在横向错位；

（4）在第二催化剂孔内沉积第二催化剂；

（5）在第二催化剂作用下外延生长第二半导体纳米线；

（6）去除第二掩膜和第二催化剂；

（7）在第一催化剂作用下外延生长第一半导体纳米线。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第一半导体纳米线采用红外吸收材料。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：所述第一半导体纳米线采用InGaAs或InAs材料。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第二半导体纳米线采用紫外吸收材料。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：第一半导体纳米线或第二半导体纳米线垂直生长于衬底表面。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜为Al₂O₃掩膜，所述第一催化剂为Au颗粒或In液滴，所述第一半导体纳米线为InGaAs纳米线。

7.根据权利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述第二掩膜为SiO₂掩膜，所述第二催化剂为Ga液滴，所述第二半导体纳米线为β-Ga₂O₃纳米线。