[发明专利]在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片有效

申请号：	201910604535.2	申请日：	2019-07-05
公开（公告）号：	CN110335814B	公开（公告）日：	2021-10-22
发明（设计）人：	吴兰峰;蒋秀林;张俊兵	申请（专利权）人：	晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
主分类号：	H01L21/225	分类号：	H01L21/225;H01L21/268;H01L21/324;H01L31/0352;H01L31/068
代理公司：	上海华诚知识产权代理有限公司 31300	代理人：	徐颖聪
地址：	225131 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明涉及在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片，选择性掺杂结构包括轻掺杂区和重掺杂区，制备方法包括以下步骤：在硅片的受光侧或背光侧由内至外依次设置第一杂质源层、阻挡层和第二杂质源层，第二杂质源层中的杂质源与第一杂质源层中的杂质源相对于硅片的掺杂属性相同，且第二杂质源层中的杂质源的浓度更高；通过高温推进方式使得第一杂质源层中的杂质源掺杂进硅片中并在硅片表面形成面状的轻掺杂区；通过激光推进方式在指定区域内使得第一杂质源层和第二杂质源层中的杂质源向硅片内推进，形成重掺杂区。本发明实施例的制备方法使制备所得的轻掺杂区的表面掺杂浓度更低，重掺杂区的表面掺杂浓度更高，且该制备方法清洁无污染。
搜索关键词：	硅片制备选择性掺杂结构方法太阳能电池
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【主权项】：

1.一种在硅片(10)上制备选择性掺杂结构的制备方法，所述选择性掺杂结构包括轻掺杂区(11)和重掺杂区(12)，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，在硅片(10)的受光侧或背光侧由内至外依次设置第一杂质源层(20)、阻挡层(30)和第二杂质源层(40)，所述第二杂质源层(40)中的杂质源与所述第一杂质源层(20)中的杂质源相对于所述硅片(10)的掺杂属性相同，且所述第二杂质源层(40)中的杂质源的浓度更高；步骤S2，通过高温推进方式使得所述第一杂质源层(20)中的所述杂质源掺杂进所述硅片(10)中并在所述硅片(10)表面形成面状的轻掺杂区(11)；步骤S3，通过激光推进方式在指定区域内使得所述第一杂质源层(20)和所述第二杂质源层(40)中的所述杂质源向所述硅片(10)内推进，形成所述重掺杂区(12)。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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