[发明专利]在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片

权利要求书

1.一种在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法，所述选择性掺杂结构包括轻掺杂区（11）和重掺杂区（12），其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，在硅片（10）的受光侧或背光侧由内至外依次设置第一杂质源层（20）、阻挡层（30）和第二杂质源层（40），所述第二杂质源层（40）中的杂质源与所述第一杂质源层（20）中的杂质源相对于所述硅片（10）的掺杂属性相同，且所述第二杂质源层（40）中的杂质源的浓度更高；

步骤S2，通过高温推进方式使得所述第一杂质源层（20）中的所述杂质源掺杂进所述硅片（10）中并在所述硅片（10）表面形成面状的轻掺杂区（11）；

步骤S3，通过激光推进方式在指定区域内使得所述第一杂质源层（20）和所述第二杂质源层（40）中的所述杂质源向所述硅片（10）内推进，形成所述重掺杂区（12）。

2.根据权利要求1所述的在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法，其特征在于，所述硅片（10）的类型为n型或p型。

3.根据权利要求1所述的在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法，其特征在于，所述第一杂质源层（20）和所述第二杂质源层（40）的主体材料为SiNx、SiON、SiOx、SiCx或非晶硅，所述杂质源选自第V族元素或第III族元素。

4.根据权利要求1所述的在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法，其特征在于，所述第一杂质源层（20）和所述第二杂质源层（40）的厚度相互独立，为1-1000nm，

所述第一杂质源层（20）和/或所述第二杂质源层（40）通过化学气相沉积法或物理气相沉积法制备得到，所述化学气相沉积法为低压力化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法和常压化学气相沉积法中的任一种。

5.根据权利要求1所述的在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层（30）的主体材料为SiNx、SiON、SiOx、SiCx或非晶硅，且所述阻挡层（30）的厚度为1-1000nm。

6.根据权利要求1所述的在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述高温推进方式为管式高温推进，推进温度为500-1000℃。

7.根据权利要求1所述的在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法，其特征在于，所述轻掺杂区（11）的掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3-1×10²²cm^-3。

8.根据权利要求1所述的在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法，其特征在于，所述重掺杂区（12）的掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3-1×10²³cm^-3。

9.根据权利要求1所述的在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

步骤S4，在形成所述重掺杂区（12）后，去除所述第一杂质源层（20）、阻挡层（30）和第二杂质源层（40）。

10.一种太阳能电池片，其特征在于，包括硅片（10），所述硅片（10）上制备有根据权利要求1-9任一项所述的在硅片（10）上制备选择性掺杂结构的制备方法制备得到的选择性掺杂结构，所述选择性掺杂结构为选择性发射极或选择性表面场。