[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910604143.6 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN111564423B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 丹羽恵一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备衬底。绝缘膜设置在衬底的上方。电极垫设置在绝缘膜上。金属凸块设置在电极垫的表面。侧壁膜设置在金属凸块的侧面且包含金属氧化物或金属氢氧化物。障壁金属层具有第1部分及第2部分，所述第1部分设置在金属凸块与电极垫之间且包含金属，所述第2部分在金属凸块的周边至少设置在电极垫且包含金属氧化物或金属氢氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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