[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具备：

在处于衬底上方的绝缘膜形成电极垫；

在所述电极垫及所述绝缘膜的表面上形成障壁金属层；

形成将所述电极垫的表面中形成金属凸块的第1区域以外的区域及所述绝缘膜的表面被覆的第1掩模材；

在所述第1区域上堆积该金属凸块的材料；

在将所述第1掩模材去除之后，在所述绝缘膜及所述障壁金属层上形成第2掩模材；

以将所述金属凸块的周围中的处于所述电极垫上的第2区域的所述第2掩模材去除的方式形成该第2掩模材；

将所述障壁金属层的表面及所述金属凸块的侧面氧化或氢氧化；以及

在将所述第2掩模材去除之后，将所述第1及第2区域以外的未被氧化或氢氧化的所述障壁金属层选择性地去除。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在将所述第1及第2区域以外的所述障壁金属层去除之后，所述障壁金属层的面积比所述电极垫与所述金属凸块的接触面积大。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述金属凸块及所述障壁金属层的氧化或氢氧化是通过利用含氧气体进行灰化处理来执行。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还具备：继所述金属凸块堆积之后，在所述金属凸块上形成金属球。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还具备：

继所述金属凸块堆积之后，在所述金属凸块上形成防扩散膜；

在所述防扩散膜上形成金属球。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述电极垫包含铝，

所述金属凸块包含铜，

形成在所述金属凸块侧面的侧壁膜包含氧化铜或氢氧化铜，

所述障壁金属层包含第1区域及第2区域，所述第1区域由钛与铜的积层膜构成，所述第2区域由钛与氧化铜或氢氧化铜的积层膜构成。