[发明专利]一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201910602774.4 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110310894B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 冯先进;徐伟东 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/02;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/786 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，所述多元非晶金属氧化物薄膜晶体管由下自上依次包括衬底、IAZO有源层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极生长在所述IAZO有源层上，该制备方法在20℃‑70℃的温度下进行，包括步骤如下：(1)在衬底上生长IAZO薄膜，制得所述IAZO有源层；(2)将步骤(1)生成后的器件放置于UV‑ozone中，处理时间为5分钟；(3)在所述IAZO有源层表面生长源电极和漏电极，即得。本发明通过探索和优化UV‑ozone对IAZO有源层的处理，在低温环境中制备出了高性能的IAZO TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 环境 制备 铟铝锌 氧化物 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，所述多元非晶金属氧化物薄膜晶体管由下自上依次包括衬底、IAZO有源层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极生长在所述IAZO有源层上，其特征在于，该制备方法在20℃‑70℃的温度下进行，包括步骤如下：(1)在衬底上生长IAZO薄膜，制得所述IAZO有源层；(2)打开UV‑ozone，使UV‑ozone提前工作3‑5分钟；(3)将步骤(1)生成后的样品放置于UV‑ozone中，处理时间为3‑15分钟；(4)在所述IAZO有源层表面生长源电极和漏电极，即得。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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