[发明专利]一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，多元非晶金属氧化物薄膜晶体管由下自上依次包括衬底、IAZO有源层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极生长在所述IAZO有源层上，其特征在于，该制备方法在20℃-70℃的温度下进行，包括步骤如下：

（1）在衬底上生长IAZO薄膜，制得所述IAZO有源层；

（2）打开UV-ozone，使UV-ozone提前工作3-5分钟；

（3）将步骤（1）生成后的样品放置于UV-ozone中，处理时间为3-15分钟；

（4）在所述IAZO有源层表面生长源电极和漏电极，即得。

2.根据权利要求1所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，处理时间为5分钟。

3.根据权利要求1所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述源电极和漏电极的材质均为Ti。

4.根据权利要求1所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述步骤（1）中，使用射频磁控溅射法在衬底上生长IAZO薄膜，制得所述IAZO有源层，包括步骤如下：

A、打开射频磁控溅射腔室门，放入所述衬底、IAZO陶瓷靶，关闭腔室门；

B、抽真空，直到腔室内真空度低于1×10^-5 Torr；

C、往腔室内通入高纯Ar，1-2分钟后停止充气，此操作重复2-4次；

D、设置溅射功率为80-100 W，通入高纯Ar，调节气体流速至15-25 SCCM，保持室内工作气压为3.60-3.80 mTorr；

E、溅射13-14分钟，关闭溅射电源；

F、等待20分钟以上，取出样品，关闭仪器，溅射过程结束。

5.根据权利要求4所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述步骤C中，往腔室内通入高纯Ar，1分钟后停止充气，此操作重复3次；

所述步骤D中，设置溅射功率为90 W，通入高纯Ar，调节气体流速至20 SCCM，保持室内工作气压为3.68 mTorr；

所述步骤E中，溅射13分钟20秒，关闭溅射电源；

所述步骤F中，等待30分钟后，取出样品，关闭仪器，溅射过程结束。

6.根据权利要求1所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述步骤（1）之前执行以下操作：清洗衬底，是指：依次使用清洗剂、去离子水、丙酮、乙醇对所述衬底进行清洗，并吹干之后备用。

7.根据权利要求1所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述衬底为抛光处理后的SiO₂/P⁺-Si。

8.根据权利要求1所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述源电极和漏电极的厚度均为30-100 nm。

9.根据权利要求8所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述源电极和漏电极的厚度均为50 nm。

10.根据权利要求1所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述源电极和漏电极之间的沟道尺寸为：宽为1500-2000 μm，长为40-80 μm。

11.根据权利要求1-10任一所述的一种在低温环境中制备铟铝锌氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述源电极和漏电极之间的沟道尺寸为：宽为2000 μm，长为60 μm。