[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910601851.4 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110690177A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 朴钟昊;金完敦;金元洪;白贤浚;李炳训;任廷爀;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：第一晶体管，包括衬底上的第一栅堆叠；以及第二晶体管，包括衬底上的第二栅堆叠，其中第一栅堆叠包括设置在衬底上的第一铁电材料层、设置在第一铁电材料层上的第一功函数层和设置在第一功函数层上的第一上栅电极，其中第二栅堆叠包括设置在衬底上的第二铁电材料层、设置在第二铁电材料层上的第二功函数层和设置在第二功函数层上的第二上栅电极，其中第一功函数层包括与第二功函数层相同的材料，以及其中第一栅堆叠的有效功函数不同于第二栅堆叠的有效功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 功函数层 栅堆叠 铁电材料层 衬底 有效功函数 上栅电极 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n第一晶体管，包括衬底上的第一栅堆叠；以及/n第二晶体管，包括所述衬底上的第二栅堆叠，/n其中，所述第一栅堆叠包括设置在所述衬底上的第一铁电材料层、设置在所述第一铁电材料层上的第一功函数层和设置在所述第一功函数层上的第一上栅电极，/n其中，所述第二栅堆叠包括设置在所述衬底上的第二铁电材料层、设置在所述第二铁电材料层上的第二功函数层和设置在所述第二功函数层上的第二上栅电极，/n其中，所述第一功函数层包括与所述第二功函数层相同的材料，以及/n其中，所述第一栅堆叠的有效功函数不同于所述第二栅堆叠的有效功函数。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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