[发明专利]一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法有效
申请号: | 201910595864.5 | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN110310882B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 倪凯;张冲;郭开泰;陈海;余泉;钱翔;王晓浩 | 申请(专利权)人: | 清华大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01J49/06 | 分类号: | H01J49/06;H01J49/02;G01N27/622 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 王震宇 |
地址: | 518055 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法,包括:在第一预设时间间隔内,在第一组电极上施加第一电压,在第二组电极上施加第二电压;其中第二电压高于第一电压且两者的电压差为刚好使离子全部不能通过的临界关门电压差;在第二预设时间间隔内,在第一组电极与第二组电极上施加相同大小的电压,使离子能正常通过离子门;在第三预设时间间隔内,在第一组电极上施加第三电压,在第二组电极上施加第四电压;其中第三电压高于第一电压,第四电压高于第三电压且两者的电压差为刚好使离子全部不能通过的临界关门电压差。通过控制BN门的两组电极的电压在三态下随时间做周期性变化,实现了减轻离子门歧视性的同时提高了离子迁移谱仪的分辨率。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 离子 迁移 bn 歧视 效应 门控 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法,所述离子门包括在离子迁移管内部沿离子迁移方向上设置的相互绝缘的第一组电极和第二组电极,所述第一组电极和所述第二组电极在垂直于所述离子迁移管轴向的同一平面上等间距平行交错排列,所述离子迁移管被所述离子门分为电离区与迁移区,其特征在于,所述方法包括周期性地控制所述离子门的状态经过以下三个阶段:在第一预设时间间隔内,在所述第一组电极上施加第一电压,在所述第二组电极上施加第二电压;其中所述第二电压高于所述第一电压;在第二预设时间间隔内,在所述第一组电极与所述第二组电极上施加相同大小的电压,使离子能正常通过离子门;在第三预设时间间隔内,在所述第一组电极上施加第三电压,在所述第二组电极上施加第四电压;其中所述第四电压高于所述第三电压,且所述第三电压高于所述第一电压,并高于在所述第二预设时间间隔内施加的电压。
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