[发明专利]一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法

权利要求书

1.一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法，所述离子门包括在离子迁移管内部沿离子迁移方向上设置的相互绝缘的第一组电极和第二组电极，所述第一组电极和所述第二组电极在垂直于所述离子迁移管轴向的同一平面上等间距平行交错排列，所述离子迁移管被所述离子门分为电离区与迁移区，其特征在于,所述方法包括周期性地控制所述离子门的状态经过以下三个阶段：

在第一预设时间间隔内，在所述第一组电极上施加第一电压，在所述第二组电极上施加第二电压；其中所述第二电压高于所述第一电压；

在第二预设时间间隔内，在所述第一组电极与所述第二组电极上施加相同大小的电压，使离子能正常通过离子门；

在第三预设时间间隔内，在所述第一组电极上施加第三电压，在所述第二组电极上施加第四电压；其中所述第四电压高于所述第三电压，且所述第三电压高于所述第一电压，并高于在所述第二预设时间间隔内施加的电压。

2.如权利要求1所述的离子门控制方法，其特征在于,所述第一预设时间间隔的值足够使离子分布达到动态稳定，所述第二预设时间间隔的值为需要的开门时间，所述第三预设时间间隔的值足够使离子团脱离离子门电压变化影响范围。

3.如权利要求1或2所述的离子门控制方法，其特征在于,所述第二电压与所述第一电压的电压差以及所述第四电压与所述第三电压的电压差为刚好使离子全部不能通过的临界关门电压差。

4.如权利要求1至3任一项所述的离子门控制方法，其特征在于,在所述第三预设时间间隔内，离子门后的电压梯度是所述第二预设时间间隔内迁移区梯度的1～10倍。

5.如权利要求1至4任一项所述的离子门控制方法，其特征在于,所述第一电压为保持迁移管内为匀强电场时离子门所在位置的电压，即离子门所在位置的参考电压。

6.如权利要求1至5任一项所述的离子门控制方法，其特征在于,在第二预设时间间隔内，在所述第一组电极与所述第二组电极上施加的电压等于所述第一电压。

7.如权利要求1至6任一项所述的离子门控制方法，其特征在于,所述第一组电极和所述第二组电极均由形状相同、相互平行且丝间距相等的金属丝组成。

8.一种采用如权利要求1至7任一项所述的离子门控制方法控制的离子门。

9.一种采用如权利要求8所述的离子门的离子迁移谱仪。