[发明专利]谐振器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910591563.5 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110324022B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 程诗阳;吴珂;李杨;王超 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（新加坡）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/05;H03H3/02 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 孙凯乐 |
| 地址： | 新加坡卡文迪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种谐振器及其制备方法，谐振器包括硅衬底、叠设于部分硅衬底上的底电极、覆盖底电极及部分硅衬底的压电层、叠设于压电层上的顶电极和布拉格反射环，布拉格反射环设置于压电层与顶电极连接的一面，且布拉格反射环环绕顶电极设置，布拉格反射环包括沿布拉格反射环的径向交替设置的布拉格高阻层和布拉格低阻层，其中所述布拉格高阻层的声阻抗大于所述布拉格低阻层的声阻抗。布拉格高阻层和布拉格低阻层具有不同的声阻抗，声阻抗高低相间的布拉格反射环能够产生若干反射面，横向传播的杂波在这些反射面上均会发生部分反射，各个反射的杂波相互抵消，从而抑制工作区间上的寄生模态，以改善谐振器的频响曲线，减少滤波，从而提升谐振器的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种谐振器，其特征在于：包括硅衬底、叠设于部分所述硅衬底上的底电极、覆盖所述底电极和部分所述硅衬底的压电层、叠设于所述压电层上的顶电极和布拉格反射环，所述布拉格反射环设置于所述压电层与所述顶电极连接的一面，且所述布拉格反射环环绕所述顶电极设置，所述布拉格反射环包括沿所述布拉格反射环的径向交替设置的布拉格高阻层和布拉格低阻层，其中所述布拉格高阻层的声阻抗大于所述布拉格低阻层的声阻抗。
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