[发明专利]谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种谐振器，其特征在于：包括硅衬底、叠设于部分所述硅衬底上的底电极、覆盖所述底电极和部分所述硅衬底的压电层、叠设于所述压电层上的顶电极和布拉格反射环，所述布拉格反射环设置于所述压电层与所述顶电极连接的一面，且所述布拉格反射环环绕所述顶电极设置，所述布拉格反射环包括沿所述布拉格反射环的径向交替设置的布拉格高阻层和布拉格低阻层，其中所述布拉格高阻层的声阻抗大于所述布拉格低阻层的声阻抗；

所述硅衬底朝向所述底电极的一面设有空腔。

2.根据权利要求1所述的一种谐振器，其特征在于：所述布拉格反射环设有多个，多个所述布拉格反射环沿所述布拉格反射环的径向套设放置。

3.根据权利要求1所述的一种谐振器，其特征在于：所述布拉格高阻层的材料包括钨和碳。

4.根据权利要求1所述的一种谐振器，其特征在于：所述布拉格低阻层的材料包括氧化硅。

5.根据权利要求1所述的一种谐振器，其特征在于：所述布拉格高阻层的厚度小于所述布拉格低阻层厚度，所述布拉格低阻层的厚度小于所述顶电极的厚度。

6.根据权利要求1所述的一种谐振器，其特征在于：所述布拉格反射环沿所述顶电极至所述压电层的方向的投影位于所述空腔内。

7.一种谐振器的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

提供硅衬底，在所述硅衬底上刻蚀出凹陷的空腔，并在所述空腔内填充牺牲材料；

在所述硅衬底刻蚀有所述空腔的一面上沉积并图形化底电极；

在所述底电极上沉积并图形化压电层；

在所述压电层上沉积并图形化顶电极；及

在所述压电层及所述顶电极上沉积并图形化布拉格反射环，且所述布拉格反射环环绕所述顶电极设置。

8.如权利要求7所述的一种谐振器的制备方法，其特征在于：当所述布拉格反射环的材料包含牺牲材料时，在所述压电层及所述顶电极上沉积并图形化所述布拉格反射环之前需要释放所述空腔内的牺牲材料；

当所述布拉格反射环的材料不包含牺牲材料时，在所述压电层上沉积并图形化所述布拉格反射环之后需要释放所述空腔内的牺牲材料。

9.如权利要求7所述的一种谐振器的制备方法，其特征在于：所述布拉格反射环包括沿所述布拉格反射环的径向交替设置的布拉格高阻层及布拉格低阻层，其中所述布拉格高阻层的声阻抗大于所述布拉格低阻层的声阻抗，在所述压电层及所述顶电极上沉积并图形化所述布拉格反射环的步骤具体包括：

在所述压电层及所述顶电极上沉积并图形化所述布拉格低阻层；及

在所述压电层、所述顶电极及所述布拉格低阻层上沉积并图形化所述布拉格高阻层。