[发明专利]一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法在审
申请号: | 201910590637.3 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN110323132A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 李成明;原晓芦;郑宇亭;黄亚博;刘金龙;魏俊俊;陈良贤 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/268;H01L29/45 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法,属于金刚石电子器件领域。本发明采用微波等离子体化学气相沉积,以甲烷、氢气为反应气体,在单晶金刚石衬底上外延一层金刚石薄膜,随后在氢等离子体氛围中处理,使金刚石表面形成氢终端,之后放置于大气环境中。然后根据线性传输模型,进行光刻工艺,调节飞秒激光器,使激光聚焦在样品表面以下1μm范围内,调整激光照射功率、频率范围、扫描周期,在氢终端金刚石亚表层产生石墨相。最后采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射制备金属电极,之后进行快速退火处理,最终制得测试所需的欧姆电极图案。本发明方法结合了石墨的高电导性来降低金属与金刚石间的接触电阻,从而改善了金刚石基电子器件的欧姆接触特性。 | ||
搜索关键词: | 金刚石 氢终端 欧姆接触电阻 微波等离子体化学气相沉积 电子器件领域 激光照射功率 欧姆接触特性 制备金属电极 单晶金刚石 电子束蒸镀 飞秒激光器 金刚石薄膜 金刚石表面 氢等离子体 磁控溅射 大气环境 电子器件 反应气体 高电导性 光刻工艺 激光聚焦 接触电阻 快速退火 欧姆电极 扫描周期 线性传输 样品表面 氢气 热蒸镀 石墨相 亚表层 石墨 甲烷 衬底 金属 图案 测试 | ||
【主权项】:
1.一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)氢终端金刚石薄膜的制备首先使用H2SO4:HNO3对单晶金刚石衬底酸洗,然后使用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗;将清洗好的单晶金刚石衬底放入反应腔中,用氢等离子体刻蚀;然后通入CH4气体,维持温度生长一段时间后关闭CH4气体,用氢等离子体处理后关闭H2自然冷却至室温,形成氢终端;将生长后的氢终端金刚石放置于空气中24h以上;2)飞秒激光辐照处理根据线性传输模型,进行光刻工艺,调节飞秒激光器,使激光聚焦在氢终端金刚石亚表面,调整激光照射功率、频率范围、扫描周期,破坏氢终端金刚石亚表面C‑C键,产生石墨相;3)制作欧姆接触电极采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射制备金属电极,之后进行快速退火处理,最终制得测试所需的欧姆电极图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造