[发明专利]相移器在审
| 申请号: | 201910578253.X | 申请日: | 2019-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN110660791A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
| 发明(设计)人: | 林纪贤;陈和祥;廖显原;叶子祯;吕盈达 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03H7/18;H03H11/16 |
| 代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种相移器,包含主动区、第一栅极组、第二栅极组和接触物组。主动区在第一方向上延伸且定位在第一层级。第一栅极组在第二方向上延伸,其与主动区重叠且定位在第二层级。接触物组在第二方向上延伸,其在主动区的上方并定位在第三层级,且设置在至少第二栅极组之间。 | ||
| 搜索关键词: | 主动区 层级 接触物 延伸 相移器 | ||
【主权项】:
1.一种相移器,其特征在于,包含:/n一主动区,在一第一方向上延伸且位于一第一层级;/n一第一栅极组,在异于该第一方向的一第二方向上延伸,该第一栅极组与该主动区重叠且位于异于该第一层级的一第二层级,且该第一栅极组中的每一栅极在该第一方向上与该第一栅极组中的另一栅极分离;/n一第二栅极组,在该第二方向上延伸,该第二组栅极与该主动区重叠并位于该第二层级,且沿着主动区的相对边缘而设置及配置为接收一第一电压,该第二栅极组为一第一晶体管的一部分,该第一晶体管配置为响应该第一电压而调整该相移器的一第一电容值;以及/n一接触物组,在该第二方向上延伸,该接触物组位于该主动区上方并位于异于该第一层级的一第三层级,且设置在至少该第二栅极组之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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